デンソーとUSJC、車載パワー半導体の出荷を開始 エネルギー損失を20％低減した300mmウェーハでのIGBT

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　デンソーと、半導体ファウンドリー大手のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション（UMC）の日本拠点であるユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン（USJC）は5月10日、300mmウェーハでの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：IGBT）の出荷を開始したと発表した。
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