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ルネサス エレクトロニクスは1月25日、xEV（電動車）向けにゲートドライバICの新製品「RAJ2930004AGM」を開発したと発表した。同社が開発したゲートドライバICは、バッテリEVをはじめとするxEVのインバータに搭載するIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やSiC（炭化ケイ素）MOSFETを駆動するためので、新製品は1200V耐圧のパワーデバイスにも使用できるようになった。
続きを読む>>ルネサス、xEV向けゲートドライバICの新製品「RAJ2930004AGM」開発 1200V耐圧のパワーデバイスにも使用可能に
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